Solo poco tempo fa i ricercatori IBM hanno annunciato che hanno intenzione di lavorare per aprire un bandgap nel grafene, infatti il grafene ha una capacità conduttiva maggiore rispetto alla contro parte in silicio ma a differenza del silicio non possiede una naturale banda proibita. Ora i ricercatori sono tornati presentando il primo transistor al grafene (FET) capace di raggiungere e sopportare frequenza di 100GHz. IBM precisa che sono solo all'inizio dello sviluppo della tecnologia e che ulteriori passi avanti potranno essere fatti per migliorare questa tecnica. Il transistor al silicio allo stato dell'arte raggiunge solamente i 40GHz.
Via [engadget]
Nessun commento:
Posta un commento